Тема: Samsung произвела первые модули DDR4 ёмкостью 128 Гбайт  (Прочитано 257 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн BIOHAZARD

  • Ветеран-элита
  • *****
  • Сообщений: 12302
  • Поблагодарили: 226 раз(а)
  • Уважение: +59/-2
  • Пол: Мужской
  • Алкоголизм сильнее гравитации!
    • Просмотр профиля
 Samsung сообщила, что вчера приступила к серийному производству первых в мире модулей DDR4 RAM ёмкостью 128 Гбайт с применением технологии TSV ("Through Silicon Via"). Однако геймерам вряд ли стоит потирать от радости руки, потому что модули адресованы корпоративным клиентам. Samsung с гордостью говорит о "самой большой ёмкости и энергоэффективности модулей DRAM, достигнутых на сегодняшний день".

Исполнительный вице-президент Samsung Сун Джу Чой говорит о том, что новые модули TSV DRAM ёмкостью 128 Гбайт позволят развить новые корпоративные решения. Каждый из модулей состоит из 144 чипов DDR4, расположенных в 36 блоках DRAM ёмкостью 4 Гбайт. Те в свою очередь состоят из четырёх чипов ёмкостью 8 Гбит, созданных по 20-нм техпроцессу. Метод TEC позволяет достичь того, чтобы отдельные чипы были компактны и эффективно связаны друг с другом. Кроме того, Samsung применяет специальный дизайн, в котором базовый кристалл каждого 4-Гбайт блока обладает функцией буфера данных, и это позволяет оптимизировать производительность и потребление энергии.


Samsung заявляет, что в результате получено энергоэффективное решение DDR4 со скоростью до 2400 Mбит/с. Это стало возможным благодаря технологии Samsung TSV.

Samsung также планирует новые производительные модули TSV-DDR4 RAM разных ёмкостей со скоростью 2667 или даже 3200 Mбит/с в ближайшем будущем. Они будут также адресованы корпоративным клиентам и операторам корпоративных серверов. В то же самое время технология TSV найдёт своё применение в накопителях HBM и решениях для потребителей.

Когда великий мудрец занимается незначительным делом - он тяготится им и рука невольно тянется к вину (с)
 


 


Поиск

 
SimplePortal 2.3.6 © 2008-2014, SimplePortal